第520章 发明MLC闪存技术（2/3）
储器。
我想说的是，这些都不靠谱，至少三十年内看不到商业应用的前景，因为无论从材料学还是从工程学角度，这些目前都是科幻里才能实现的技术，实验室里进行少量晶体管质子存储实验，或者用一两个碳纳米管验证可存储性能，或者用精密仪器实现单电子操纵，这都可以，但一到工程上就行不通了，大面积的工程应用做不出来就等于白说，现在谁都不知道要用怎样的设备和工艺去进行大规模制造，所以我们不要去考虑这些概念。”
胡一亭继续切换t，“目前我们能做的只有继续在fsh-memory技术上进行发展，继续依靠半导体器件的电荷俘获原理，通过改进传统的浮栅结构，发展与普通逻辑工艺相兼容的新技术。
我个人这次发明的这种新技术，我称之为multi-level-cell，简称mlc，而传统fsh-memory闪存工艺我称之为single-level-cell，简称slc。
顾名思义，这两者区别在于传统slc是单层式存储，而我发明的mlc技术是多层式存储。”
胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。
赵赫激动道：“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事？是不是把两个芯片叠在一起做封装？这要怎么搞？”
胡一亭笑道：“别急别急，我这就说，但不是你想的那样，o叠层封装工艺并不能降低闪存成本，两片颗粒叠加封装只能增加单芯片容量而已，价格也只会更加昂贵，和我说的mlc构造是两码事。”
说着胡一亭切了一张自制的t，开始对着自己昨晚鬼画符般做出的简图介绍起mlc构造的特点来。
“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0，这是常识了。
我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，我们在对单元进行写入操作时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成了写入过程。在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注入沟道边缘的氮化硅，消除电荷，就完成了擦除。
接下来我说关键点，大家看图，由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘，这样一来，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，可我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会出现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下，让现有的fsh-memory容量增加了一倍！”
胡一亭对着图片解释完之后，会议室里一片哗然，科学家工程师们先是面面相觑，随即手足无措，接着便开始坐立不安，最后全都开始叫好称赞起来，甚至有人开始鼓掌。
其中赵赫更是欢喜的抓耳挠腮，他已经被胡一亭勾引的失去了理智，急忙道：“胡总你太神了，你这是怎么想出来的！这可是专利啊！是重光的专利啊！我们得赶紧实验！赶紧写论文申请专利！”
曹玉暖也欢喜的鼓起了掌：“胡一亭你的设想太完美了！我觉得可行！真的可行！这个路子怎么以前就没人想到呢！你真是天才！我就知道你是最棒的！”
胡一亭看着大家的兴奋劲，心想这哪是我想出来的啊，这是以色列saifun公司搞出来的sonos-falsh技术，被英特尔在97年9月正式公布并申请专利，同时应用到他们的闪存产品中的设计，自己不过是拾人牙慧罢了。而且今后自己还将拿出另一种多电压控制栅极多层注入电荷技术的mcl产品，彻底统治mlc闪存专利市场，直
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